IPP030N10N3 G

Код товара: 10750004

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IPP030N10N3 G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CHAN OPTIMOS-3 100V 100A TO220

Описание IPP030N10N3 G

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

BrandInfineon
Тип каналаN
Максимальный непрерывный ток стока100 А
Максимальное напряжение сток-исток100 В
Тип корпусаTO-220
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Число контактов3
Максимальное сопротивление сток-исток4,8 мΩ
Номер каналаПоднятие
Максимальное пороговое напряжение включения3.5V
Минимальное пороговое напряжение включения2V
Максимальное рассеяние мощности300 Вт
Конфигурация транзистораОдинарный
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС1
СерияOptiMOS 3
Минимальная рабочая температура-55 °C
Прямое напряжение диода1.2V
Максимальная рабочая температура+175 °C
Длина10.36мм
Типичный заряд затвора при Vgs155 нКл при 10 В
Высота15.95мм
Ширина4.57мм
Материал транзистораКремний

Способы доставки в Калининград

Доставка IPP030N10N3 G в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.