IKW40N65H5
Описание IKW40N65H5
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Brand | Infineon |
---|---|
Максимальный непрерывный ток коллектора | 74 A |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 650 В |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
Максимальное рассеяние мощности | 250 Вт |
Тип корпуса | TO-247 |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Тип канала | N |
Число контактов | 3 |
Конфигурация транзистора | Одинарный |
Размеры | 16.13 x 5.21 x 21.1мм |
Минимальная рабочая температура | -40 °C |
Емкость затвора | 2500пФ |
Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Номинальная энергия | 0.51mJ |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара