IGW30N60T
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IGW30N60T
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 45 A |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 600 В |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Максимальное рассеяние мощности | 187 Вт |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Тип канала | N |
| Число контактов | 3 |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Размеры | 16.13 x 5.21 x 21.1мм |
| Минимальная рабочая температура | -40 °C |
| Емкость затвора | 1630пФ |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Номинальная энергия | 2.1mJ |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара