IGW30N60T
Код товара: 10749991
Цена от:
277,08 руб.
Нет в наличии
Описание IGW30N60T
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Brand | Infineon |
---|---|
Максимальный непрерывный ток коллектора | 45 A |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 600 В |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
Максимальное рассеяние мощности | 187 Вт |
Тип корпуса | TO-247 |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Тип канала | N |
Число контактов | 3 |
Конфигурация транзистора | Одинарный |
Размеры | 16.13 x 5.21 x 21.1мм |
Минимальная рабочая температура | -40 °C |
Емкость затвора | 1630пФ |
Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Номинальная энергия | 2.1mJ |
Способы доставки в Калининград
Доставка IGW30N60T
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара