SIHB25N50E-GE3, МОП-транзистор 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SIHB25N50E-GE3
| Серия | E |
|---|---|
| Вес изделия | 2.200 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Время спада | 29 ns |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Время нарастания | 36 ns |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 550 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 26 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 145 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 57 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 57 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара