PBSS2540MB,315, Биполярные транзисторы - BJT 40 V, 0.5 A NPN low VCEsat transistor
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT 40 V, 0.5 A NPN low VCEsat transistor
Артикул:
PBSS2540MB,315
Производитель:
Описание PBSS2540MB,315
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-883-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 590 mW |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 450 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара