DMN10H170SVTQ-7, МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 160mOhm 10Vgs 2.6A
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 160mOhm 10Vgs 2.6A
Артикул:
DMN10H170SVTQ-7
Производитель:
Описание DMN10H170SVTQ-7
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | TSOT-26-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | DMN10H170 |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 1.2 W |
| Вес изделия | 13 mg |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 115 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 12 ns |
| Время нарастания | 11 ns |
| Типичное время задержки выключения | 42 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Qg - заряд затвора | 9.7 nC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара