NST30010MXV6T1G, Биполярные транзисторы - BJT DUAL MATCHED GP XTT PNP
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT DUAL MATCHED GP XTT PNP
Артикул:
NST30010MXV6T1G
Производитель:
Описание NST30010MXV6T1G
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Длина | 1.6 mm |
| Серия | NST30010MXV6 |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Высота | 0.55 mm |
| Технология | Si |
| Ширина | 1.2 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 3 mg |
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Pd - рассеивание мощности | 661 mW |
| Полярность транзистора | PNP |
| Конфигурация | Dual |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 at 10 uA, 5 V, 420 at 2 mA, 5 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара