TK33S10N1Z,LXHQ, МОП-транзистор 125W 1MHz Automotive;AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор 125W 1MHz Automotive;AEC-Q101
Артикул:
TK33S10N1Z,LXHQ
Производитель:
Описание TK33S10N1Z,LXHQ
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | UMOS VIII-H |
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 33 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9.7 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 28 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 11.5 ns |
| Время нарастания | 8.4 ns |
| Типичное время задержки выключения | 37 ns |
| Типичное время задержки при включении | 21.6 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара