TP65H070LDG, МОП-транзистор 650V, 72mO
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание TP65H070LDG
| Упаковка / блок | PQFN-3 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Серия | TP65H |
| Вес изделия | 4.312 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | GaN |
| Pd - рассеивание мощности | 96 W |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 25 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 85 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.8 V |
| Qg - заряд затвора | 9.3 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 8.2 ns |
| Время нарастания | 7.5 ns |
| Типичное время задержки выключения | 45 ns |
| Типичное время задержки при включении | 29 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара