DSS45160FDB-7, Биполярные транзисторы - BJT SS Low Sat Transistor
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT SS Low Sat Transistor
Артикул:
DSS45160FDB-7
Производитель:
Описание DSS45160FDB-7
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | U-DFN2020-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 405 mW |
| Вес изделия | 6.750 mg |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V, 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V, 7 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A, 1.5 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 175 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 170 at - 2 V at - 100 ma at - 2 V, 290 at 100 mA at 2 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A, 1 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара