2DB1132P-13, Биполярные транзисторы - BJT 1000W -32Vceo
Код товара: 10741170
Цена от:
16,37 руб.
Нет в наличии
Описание 2DB1132P-13
ECCN | EAR99 |
---|---|
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Длина | 4.5 mm |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Серия | 2DB11 |
Вес изделия | 52 mg |
Высота | 1.5 mm |
Ширина | 2.48 mm |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка / блок | SOT-89-3 |
Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 32 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 190 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 82 |
Способы доставки в Калининград
Доставка 2DB1132P-13 , Биполярные транзисторы - BJT 1000W -32Vceo
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара