NXH80B120H2Q0SG, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODE

Name: NXH80B120H2Q0SG, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODE
Brand: ON Semiconductor
SKU: 10741126
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODE

Код товара: 10741126

Дата обновления: 27.02.2022 08:20

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка NXH80B120H2Q0SG , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODE в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 12 раб. дней

от 833 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание NXH80B120H2Q0SG

Минимальная рабочая температура	40 C
Максимальная рабочая температура	+ 125 C
ECCN	EAR99
Упаковка / блок	Q0BOOST
Pd - рассеивание мощности	103 W
Вид монтажа	Press Fit
Продукт	IGBT Silicon Carbide Modules
Технология	SiC
Конфигурация	Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.2 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	40 A
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA

Хотите получить образцы?

Заказать образец

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← SLP182M063C1P3 RC1218FK-072RL →