RJH65T47DPQ-A0#T0, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT - 650V/45A/TO-247A
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT - 650V/45A/TO-247A
Артикул:
RJH65T47DPQ-A0#T0
Производитель:
Описание RJH65T47DPQ-A0#T0
Минимальная рабочая температура | 55 C |
---|---|
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Высота | mm |
Длина | mm |
Технология | Si |
Ширина | mm |
Вид монтажа | Through Hole |
Вес изделия | 6 g |
ECCN | EAR99 |
Упаковка / блок | TO-247A-3 |
Pd - рассеивание мощности | 375 W |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 90 A |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.8 V |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 90 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 1 uA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара