NGTG35N65FL2WG, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/35A FAST IGBT FSII T
Код товара: 10740448
Изображения служат только для ознакомления.
Цена от:
464,75 руб.
Нет в наличии
Описание NGTG35N65FL2WG
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Вес изделия | 38 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.2 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 70 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 35 A |
Способы доставки в Калининград
Доставка NGTG35N65FL2WG , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/35A FAST IGBT FSII T
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара