2SB1216S-E, Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 4A 100V
Описание 2SB1216S-E
Серия | 2SB1216 |
---|---|
Вес изделия | 4 g |
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | Through Hole |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Упаковка / блок | TO-251-3 |
Технология | Si |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара