NGTB40N60L2WG, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/40A FAST IGBT FSII T
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/40A FAST IGBT FSII T
Артикул:
NGTB40N60L2WG
Производитель:
Описание NGTB40N60L2WG
Минимальная рабочая температура | 55 C |
---|---|
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Технология | Si |
Вид монтажа | Through Hole |
Вес изделия | 38 g |
ECCN | EAR99 |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Pd - рассеивание мощности | 417 W |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 80 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара