PBSS5612PA,115, Биполярные транзисторы - BJT 12V 6A PNP LO VCEsat TRANSISTOR
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT 12V 6A PNP LO VCEsat TRANSISTOR
Артикул:
PBSS5612PA,115
Производитель:
Описание PBSS5612PA,115
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 0.61 mm |
| Длина | 2.1 mm |
| Ширина | 2.1 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 8 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | DFN2020-3 |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 2.1 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 12 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 7 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 60 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 335 |
| Непрерывный коллекторный ток | 6 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 130 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара