DCX69-13, Биполярные транзисторы - BJT 1000W -20Vceo
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание DCX69-13
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | DCX69 |
| Вес изделия | 52 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Длина | 4.5 mm |
| Ширина | 2.48 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Высота | 1.5 mm |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | PNP |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 25 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 at - 500 mA, 1 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара