SISH114ADN-T1-GE3, МОП-транзистор 30V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
Код товара: 10738867
Цена от:
38,66 руб.
Нет в наличии
Описание SISH114ADN-T1-GE3
Минимальная рабочая температура | 55 C |
---|---|
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Коммерческое обозначение | TrenchFET; PowerPAK |
ECCN | EAR99 |
Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8SH-8 |
Количество каналов | 1 Channel |
Технология | Si |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Id - непрерывный ток утечки | 35 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.5 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
Qg - заряд затвора | 32 nC |
Pd - рассеивание мощности | 39 W |
Канальный режим | Enhancement |
Конфигурация | Single |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Время спада | 7 ns |
Время нарастания | 8 ns |
Типичное время задержки выключения | 20 ns |
Типичное время задержки при включении | 11 ns |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 50 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка SISH114ADN-T1-GE3 , МОП-транзистор 30V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара