2SB1122S-TD-E, Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 1A 50V
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание 2SB1122S-TD-E
| Серия | 2SB1122 |
|---|---|
| Вес изделия | 51.200 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 1.3 W |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 140 |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.18 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара