NXH80T120L2Q0P2TG, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MASS PIM 1200V 80A TNPC STANDARD (PRESS-FIT PIN TIM)
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MASS PIM 1200V 80A TNPC STANDARD (PRESS-FIT PIN TIM)
Артикул:
NXH80T120L2Q0P2TG
Производитель:
Описание NXH80T120L2Q0P2TG
| Вид монтажа | Press Fit |
|---|---|
| Упаковка / блок | Module |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 109.540 g |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Pd - рассеивание мощности | 158 W |
| Конфигурация | Three Level Inverter |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.05 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 67 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 300 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара