SIHS90N65E-E3, МОП-транзистор 650V Vds 30V Vgs Super-247
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SIHS90N65E-E3
| Серия | E |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вес изделия | 50 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 625 W |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 267 ns |
| Время нарастания | 152 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 87 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 25 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 394 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 323 ns |
| Типичное время задержки при включении | 85 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара