NVATS5A113PLZT4G, МОП-транзистор PCH 4V DRIVE SERIES
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание NVATS5A113PLZT4G
| Серия | NVATS5A113PLZ |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Вес изделия | 263.140 mg |
| Упаковка / блок | ATPAK-3 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Pd - рассеивание мощности | 60 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 38 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 44 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.6 V |
| Qg - заряд затвора | 55 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара