XPN7R104NC,L1XHQ, МОП-транзистор 65W 1MHz Automotive;AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор 65W 1MHz Automotive;AEC-Q101
Артикул:
XPN7R104NC,L1XHQ
Производитель:
Описание XPN7R104NC,L1XHQ
| Серия | U-MOSVIII-H |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 26 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка / блок | TSON-Advance-8 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.1 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 21 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 65 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 13 ns |
| Время нарастания | 5.5 ns |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара