DMN32D2LV-7, МОП-транзистор Dual N-Channel
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание DMN32D2LV-7
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | DMN32 |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 0.6 mm |
| Длина | 1.6 mm |
| Ширина | 1.2 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 400 mW |
| Вес изделия | 3 mg |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 400 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.2 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара