BD433S, Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание BD433S
| Серия | BD433 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Вес изделия | 761 mg |
| Упаковка / блок | TO-126-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 36 W |
| Длина | 8 mm |
| Ширина | 3.25 mm |
| Высота | 11 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 22 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 22 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара