DNLS160V-7, Биполярные транзисторы - BJT NPN 0.3W
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание DNLS160V-7
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | DNLS160 |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 0.6 mm |
| Длина | 1.6 mm |
| Ширина | 1.2 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Вес изделия | 3 mg |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 270 MHz |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара