FCPF165N65S3R0L, МОП-транзистор SUPERFET3 650V TO220F PKG
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание FCPF165N65S3R0L
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-220F-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 35 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 19 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 165 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel SuperFET III MOSFET |
| Qg - заряд затвора | 35 nC |
| Время спада | 5 ns |
| Время нарастания | 16 ns |
| Типичное время задержки выключения | 43 ns |
| Типичное время задержки при включении | 17 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара