FGB5N60UNDF, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 5A NPT IGBT

Name: FGB5N60UNDF, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 5A NPT IGBT
Brand: ON Semiconductor
SKU: 10733059
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 5A NPT IGBT

Код товара: 10733059

Дата обновления: 03.11.2021 08:20

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка FGB5N60UNDF , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 5A NPT IGBT в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 12 раб. дней

от 833 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание FGB5N60UNDF

Серия	FGB5N60UNDF
Минимальная рабочая температура	55 C
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Упаковка / блок	TO-263AB-3
Вес изделия	1.312 g
ECCN	EAR99
Вид монтажа	SMD/SMT
Pd - рассеивание мощности	73.5 W
Конфигурация	Single
Технология	Si
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.4 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	10 A
Ток утечки затвор-эмиттер	+/- 10 nA

Хотите получить образцы?

Заказать образец

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← 1008PS-153KLB STP24N60DM2 →