FGB20N60SFD, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Field Stop

Name: FGB20N60SFD, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Field Stop
Brand: ON Semiconductor
SKU: 10732619
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Field Stop

Код товара: 10732619

Дата обновления: 22.02.2022 08:20

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка FGB20N60SFD , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Field Stop в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 12 раб. дней

от 833 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание FGB20N60SFD

Серия	FGB20N60SFD
Упаковка / блок	TO-263AB
Вес изделия	1.312 g
ECCN	EAR99
Вид монтажа	Through Hole
Pd - рассеивание мощности	83 W
Технология	Si
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.8 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	40 A
Ток утечки затвор-эмиттер	400 nA

Хотите получить образцы?

Заказать образец

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← RHRG1560CC-F085 179-025-413R571 →