RU1L002SNTL, МОП-транзистор 2.5V N-CHANNEL
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание RU1L002SNTL
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Вес изделия | 30.467 mg |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Время спада | 28 ns |
| Время нарастания | 5 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Канальный режим | Enhancement |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 250 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.4 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 18 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.5 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара