BUK962R5-60E,118, МОП-транзистор N-channel TrenchMOS intermed level FET
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор N-channel TrenchMOS intermed level FET
Артикул:
BUK962R5-60E,118
Производитель:
Описание BUK962R5-60E,118
| Вес изделия | 4 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 357 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 2.1 V |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара