KSA1156YS, Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание KSA1156YS
| Серия | KSA1156 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 761 mg |
| Высота | 1.5 mm |
| Ширина | 3.25 mm |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-126-3 |
| Длина | 8 mm |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 400 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара