MRF13750H-1300, RF MOSFET Transistors MRF13750H-1300
Описание MRF13750H-1300
Серия | MRF13750H |
---|---|
Тип | RF Power MOSFET |
Упаковка / блок | NI-1230H-4 |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Количество каналов | 2 Channel |
Рабочая частота | 700 MHz to 1300 MHz |
Выходная мощность | 750 W |
Pd - рассеивание мощности | 1333 W |
Полярность транзистора | Dual N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 0.5 V, 105 V |
Id - непрерывный ток утечки | 2.8 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 6 V, 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.3 V |
Усиление | 20.5 dB |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара