BC817DSF, Биполярные транзисторы - BJT NPN general purpose double transistor
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT NPN general purpose double transistor
Артикул:
BC817DSF
Производитель:
Описание BC817DSF
| Вес изделия | 11 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | SOT-457-6 |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Конфигурация | Dual |
| Pd - рассеивание мощности | 370 mW |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 at 100 mA at 1 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 160 at 100 mA at 1 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 700 mV |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара