BUK9K35-60E,115, МОП-транзистор Dual N-channel 60 V 35 mo FET
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание BUK9K35-60E,115
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Упаковка / блок | LFPAK56D-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Pd - рассеивание мощности | 38 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 22 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 32 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.4 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 7.8 nC |
| Время спада | 10.6 ns |
| Время нарастания | 11.3 ns |
| Типичное время задержки выключения | 14.9 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.1 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара