BCM856DS.115, Биполярные транзисторы - BJT COMPLEX DISCRETE S2023D/SOT45
Код товара: 10719380
Цена от:
15,77 руб.
Нет в наличии
Описание BCM856DS.115
| Вес изделия | 10.800 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | SC-74-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Длина | 3.1 mm (Max) |
| Ширина | 1.7 mm (Max) |
| Высота | 1 mm (Max) |
| Конфигурация | Dual |
| Pd - рассеивание мощности | 380 mW |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 175 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
Способы доставки в Калининград
Доставка BCM856DS.115 , Биполярные транзисторы - BJT COMPLEX DISCRETE S2023D/SOT45
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара