BCM856DS.115, Биполярные транзисторы - BJT COMPLEX DISCRETE S2023D/SOT45

Код товара: 10719380

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
BCM856DS.115
Производитель:

Описание BCM856DS.115

Вес изделия10.800 mg
ECCNEAR99
Упаковка / блокSC-74-6
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Вид монтажаSMD/SMT
Длина3.1 mm (Max)
Ширина1.7 mm (Max)
Высота1 mm (Max)
КонфигурацияDual
Pd - рассеивание мощности380 mW
Полярность транзистораPNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.65 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Максимальный постоянный ток коллектора200 mA
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)175 MHz
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.450
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV

Способы доставки в Калининград

Доставка BCM856DS.115 , Биполярные транзисторы - BJT COMPLEX DISCRETE S2023D/SOT45 в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.