STP110N8F6, МОП-транзистор LGS LV МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание STP110N8F6
| Серия | STP110N8F6 |
|---|---|
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Вес изделия | 330 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 15.75 mm |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Длина | 10.4 mm |
| Ширина | 4.6 mm |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Время спада | 48 ns |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Время нарастания | 61 ns |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 110 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 150 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 162 ns |
| Типичное время задержки при включении | 24 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара