FQD3P50TM-AM002BLT, МОП-транзистор P-CH/500V/2.1A 4.9OHM
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание FQD3P50TM-AM002BLT
| Серия | FQD3P50 |
|---|---|
| Вес изделия | 340 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Длина | 6.73 mm |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Высота | 2.39 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W |
| Технология | Si |
| Время спада | 45 ns |
| Время нарастания | 56 ns |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.1 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.9 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Qg - заряд затвора | 23 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.1 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара