ZXTN2018FQTA, Биполярные транзисторы - BJT Pwr Low Sat Transistor
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Low Sat Transistor
Артикул:
ZXTN2018FQTA
Производитель:
Описание ZXTN2018FQTA
ECCN | EAR99 |
---|---|
Вид монтажа | SMD/SMT |
Вес изделия | 24 g |
Квалификация | AEC-Q101 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Технология | Si |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 140 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 15 mV |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 130 MHz |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at 2 A, 1 V |
Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 at 10 mA, 1 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 12 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара