BUK9Y15-100E.115, МОП-транзистор N-channel TrenchMOS logic level FET
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор N-channel TrenchMOS logic level FET
Артикул:
BUK9Y15-100E.115
Производитель:
Описание BUK9Y15-100E.115
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 84.100 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | LFPAK56-5 |
| Pd - рассеивание мощности | 195 W |
| Конфигурация | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 69 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12.1 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 15 V, + 15 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.7 V |
| Qg - заряд затвора | 45.8 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 59 ns |
| Время нарастания | 32 ns |
| Типичное время задержки выключения | 85 ns |
| Типичное время задержки при включении | 21 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара