STB40NF20, МОП-транзистор Low charge STripFET
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание STB40NF20
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
|---|---|
| Серия | STB40NF20 |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 10.4 mm |
| Ширина | 9.35 mm |
| Высота | 4.6 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Pd - рассеивание мощности | 160 W |
| Время спада | 22 ns |
| Время нарастания | 44 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 40 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 45 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 30 S |
| Типичное время задержки выключения | 74 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара