IRL80HS120, МОП-транзистор TRENCH 40<-<100V
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IRL80HS120
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 164.660 mg |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | PQFN-6 |
| Pd - рассеивание мощности | 11.5 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 12.5 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 25 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Qg - заряд затвора | 7 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 10 ns |
| Время нарастания | 22 ns |
| Типичное время задержки выключения | 9.2 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.6 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 14 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара