SPD18P06P G, МОП-транзистор P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SPD18P06P G
| Серия | SPD18P06 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Технология | Si |
| Высота | 2.3 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Коммерческое обозначение | SIPMOS |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 18.6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 130 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 22 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 80 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время нарастания | 5.8 ns |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Время спада | 11 ns |
| Типичное время задержки выключения | 24.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 4 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара