PSMN2R5-30YL,115, МОП-транзистор <=30V N CH TRENCHFET
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание PSMN2R5-30YL,115
| Вес изделия | 82 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | LFPAK56-5 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Длина | 5 mm |
| Ширина | 4.1 mm |
| Высота | 1.1 mm |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single Triple Source |
| Pd - рассеивание мощности | 88 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 25 ns |
| Время нарастания | 62 ns |
| Типичное время задержки выключения | 61 ns |
| Типичное время задержки при включении | 39 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара