MR25H10CDF, Магниторезистивная оперативная память (MRAM) 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial Магниторезистивная оперативная память (MRAM)
Магниторезистивная оперативная память (MRAM) 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial Магниторезистивная оперативная память (MRAM)
Артикул:
MR25H10CDF
Производитель:
Описание MR25H10CDF
Серия | MR25H10 |
---|---|
Вес изделия | 37.400 mg |
ECCN | EAR99 |
Упаковка / блок | DFN-8 |
Напряжение питания - мин. | 2.7 V |
Напряжение питания - макс. | 3.6 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Максимальная рабочая температура | + 85 C |
Ширина шины данных | 8 bit |
Тип интерфейса | SPI |
Чувствительный к влажности | Yes |
Рабочий ток источника питания | 20 mA |
Pd - рассеивание мощности | 0.6 W |
Размер памяти | 1 Mbit |
Организация | 128 k x 8 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара