KSD471AYTA, Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Transistor
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Transistor
Артикул:
KSD471AYTA
Производитель:
Описание KSD471AYTA
| Технология | Si |
|---|---|
| Серия | KSD471A |
| Вес изделия | 240 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-92-3 Kinked Lead |
| Конфигурация | Single |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Pd - рассеивание мощности | 800 mW |
| Высота | 4.7 mm |
| Длина | 4.7 mm |
| Ширина | 3.93 mm |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 130 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара