IXTH8P50, МОП-транзистор -8 Amps -500V 1.2 Rds
Код товара: 10710988
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
1 424,20 руб.
Нет в наличии
Описание IXTH8P50
| Вес изделия | 6.500 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | IXTH8P50 |
| Тип | Standard Power MOSFET |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Высота | 21.46 mm |
| Длина | 16.26 mm |
| Ширина | 5.3 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 180 W |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.2 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Qg - заряд затвора | 130 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Время спада | 35 ns |
| Время нарастания | 27 ns |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 33 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 4 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXTH8P50 , МОП-транзистор -8 Amps -500V 1.2 Rds
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 794 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 288 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2155 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 747 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара