BSM180D12P2E002, Дискретные полупроводниковые модули 1200V 204A HALF BRIDGE SIC
Код товара: 10710901
Цена от:
138 566,12 руб.
Нет в наличии
Описание BSM180D12P2E002
| Продукт | Power MOSFET Modules |
|---|---|
| Тип | SiC Power MOSFET |
| Упаковка / блок | Module |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Screw Mount |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 1360 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 204 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 18 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Время спада | 45 ns |
| Время нарастания | 45 ns |
| Типичное время задержки выключения | 125 ns |
| Типичное время задержки при включении | 45 ns |
| Vr - обратное напряжение | 1200 V |
Способы доставки в Калининград
Доставка BSM180D12P2E002 , Дискретные полупроводниковые модули 1200V 204A HALF BRIDGE SIC
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара