IPB025N08N3 G, МОП-транзистор N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
Код товара: 10709234
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
560,52 руб.
Нет в наличии
Описание IPB025N08N3 G
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | OptiMOS 3 |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Длина | 10 mm |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Ширина | 9.25 mm |
| Высота | 4.4 mm |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 33 ns |
| Время нарастания | 73 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 86 ns |
| Типичное время задержки при включении | 28 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка IPB025N08N3 G , МОП-транзистор N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара